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니케이아시안리뷰·일렉트로닉스위클리·번스타인리서치 등의 보도와 보고서를 종합하면 내년도는 중국 반도체 굴기가 가시화되는 첫해가 될 전망이다. 이에따라 세계최고 반도체업체 삼성전자와 SK하이닉스의 D램·3D낸드플래시 및 파운드리사업까지 바싹 추격하게 된다. 올해 하반기 D램 가격의 급격한 하락과 함께 내년도 수익성 악화가 불가피하다는 전망 속에 중국의 신생 도전자들을 맞게 된다는 의미이기도 하다. 최근 시장조사업체 IC인사이츠가 D램 시장과 관련, 2017년 77%, 2018년 39%의 고속 성장을 했지만 내년에는 1% 역성장할 것으로 예상하기도 했다.
이미 칭화유니그룹 소유의 양쯔메모리(YMTC)는 지난 7월부터 32층 3D낸드플래시 웨이퍼를 월 5000장씩 생산하고 있다. 푸젠성 진장시 소재 푸젠진화IC는 오는 2020년까지 월 10만장의 웨이퍼를 생산해서 최종적으로 3개 팹에서 월 35만~40만장의 웨이퍼를 생산하게 된다. 이 회사는 대만 UMC와 제휴하고 있다. 또다른 시장진입자 이노트론도 중국 동부 허페이에 72억 달러 규모의 시설을 건설 중이며 19나노미터 8Gb LPDDR4 D램을 시험 생산했다. 이르면 내년 상반기에 늦어도 내년중 D램 양산에 들어갈 것으로 예상된다.
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파운드리사업에서도 중국의 공세가 시작됐다.
상하이 소재 SMI는 총 100억달러(10조1300억원)가 투자된 파운드리 공장을 완공해 내년 중 반도체 파운드리(위탁생산)사업을 시작한다. 이어 광둥성 주해(珠海)시가 90억달러(약 9조7000억원)을 대부분 투자하는 방식으로 폭스콘과 자회사 샤프를 끌어들여 2020년중 파운드리 공장을 건설한다. 주해시가 폭스콘을 끌어들이는 이유는 지난 2008년까지 반도체 사업경험을 가진 샤프의 기술을 확보해 이 분야 사업을 육성하려는 것으로 해석되고 있다. 주해시와 폭스콘은 지난 8월 협력 양해각서를 교환했다.
이는 올해 100억달러 규모의 매출을 올린 삼성전자 파운드리 사업부는 물론 지난해 SK하이닉스 파운드리사업부를 분사해 올해 3분기에 4000억여원 규모의 매출에 500억원대의 순익을 기록한 SK하이닉스시스템IC에게도 또다른 경쟁사가 생긴다는 의미다.
업계 관계자는 “삼성전자는 권오현 삼성전자 부회장이 내세우는 기술의 ‘초격차(超隔差)’를 통해 중국의 반도체 굴기 공세를 막아내는 데 전력하게 될 것”이라고 전망했다.
권오현 삼성종합기술원장은 자신의 저서 ‘초격차’에서 “지난 2008년 세계금융위기를 맞아 삼성전자가 적자를 내자 어떤 상황에서도 이익을 내는 방안을 검토하면서 생각해 낸” 것으로서 “연구개발 목표설정 및 방식, 제조라인의 운영과 시스템,인프라,일하는 방법, 문화 등 든 것을 변화시켜야 한다는 의미가 담겨있다”고 말하고 있다. 권오현 부회장은 지난 1983년 삼성 반도체사업 초기에 미국 마이크론사에 반도체를 배우러 갔던 7인중 한명으로 삼성전자 반도체 사업의 산증인이다.
현재 중국내에서 진행되고 있는 반도체 생산프로젝트 규모는 줄잡아 807억5000만달러(약 90조 8000억원)<표참조>에 이른다.
이재구 기자 jklee@g-enews.com
