삼성전자 DS부문 미주총괄 밥 스티어(Bob Stear) 시니어 디렉터는 18일(현지시간) 미국 실리콘밸리에 위치한 삼성전자 미주법인(DSA)에서 열린 ‘삼성 테크 데이 2018’에서 이같이 밝혔다.
반도체 공정이 10나노 이하로 접어들며 기존에 사용하던 불화아르곤(ArF) 광원은 한계에 봉착했다. 이 광원으로 미세한 회로를 그리면 공정 단계가 늘어나 생산성이 급격히 떨어지게 된다. 불화아르곤 광원의 한계를 극복할 기술로 떠오른 광원이 바로 EUV다.
EUV는 불화아르곤보다 파장이 짧아 세밀한 반도체를 구현할 수 있다. 공정 수를 줄여 생산성을 높이면서도 저전력·고성능을 동시에 확보할 수 있다.
이번에 생산되는 7LPP 공정은 10LPE 대비 면적을 약 40% 줄일 수 있다. 최대한 많은 미세 회로를 새겨넣어 20% 향상된 성능을 자랑한다. 전력 효율은 50% 개선됐다. 또한 총 마스크 수가 EUV 노광 공정을 사용하지 않은 경우에 비해 20% 줄어 고객들은 7LPP 공정 도입에 대한 비용 부담을 줄일 수 있다.
삼성전자가 7나노 공정에 돌입하면서 대만 TSMC와의 경쟁은 더욱 치열해질 전망이다. TSMC는 올해 7나노 생산을 시작해 애플과 퀄컴, 엔비디아(NVIDIA) 등에 공급하고 있다. 세계 파운드리 시장에서의 점유율은 55.9%에 이른다. 삼성전자(7.7%)의 7배다.
삼성전자는 업계 최초로 EUV를 적용한 7나노 공정 양산을 통해 반격에 나선다. 삼성전자는 2000년대부터 EUV 기술 연구를 시작해왔다. EUV 노광 공정에 사용되는 마스크의 결함을 검사하기 위한 장비를 개발했고, 올해 2월 경기 화성 반도체 신공장에 EUV 전용 라인도 기공했다. 내년 말 완공을 목표로 2020년 본격 가동할 예정이다.
오소영 기자 osy@g-enews.com