삼성전자, 중국 시안 반도체 2기 라인 착공

[글로벌이코노믹 오소영 기자] 삼성전자가 3D V낸드 수요 증가에 대응하고자 중국 시안 반도체 사업장에 2기 라인을 건설한다.

삼성전자는 28일(현지시간) 중국 산시성 시안시에서 ‘삼성 중국 반도체 메모리 제2 라인 기공식’을 실시했다. 이번 행사에는 후허핑 산시성 성위서기와 먀오웨이 공신부 부장, 류궈중 산시성 성장, 노영민 주중 한국대사, 김기남 삼성전자 사장 등이 참석했다.
앞서 삼성전자는 작년 8월 시안 반도체 2기 라인 투자를 위해 산시성 정부와 MOU를 체결한 바 있다. 투자액은 향후 3년간 총 70억 달러다.

삼성전자는 중국 시안에 반도체 2기 라인을 구축해 낸드플래시(V-NAND) 수요에 적극 대응할 방침이다.

특히 이번 투자를 통해 낸드플래시 최대 수요처이자 글로벌 IT업체들의 생산기지가 집중된 중국시장에서 제조 경쟁력을 더욱 강화해 나간다.

김기남 사장은 기념사를 통해 “시안 2기 라인의 성공적인 운영으로 최고의 메모리 반도체 제품 생산과 함께 차별화된 솔루션을 고객에게 제공하겠다”고 말했다.

한편, 삼성전자 시안 반도체 사업장은 2012년 1기 기공식을 시작으로 2013년 전자연구소를 설립했다. 이듬해 1세대 낸드플래시를 양산했으며 2015년에는 후(後)공정 라인을 완공했다.
오소영 기자 osy@g-enews.com